| 技术指标\型号名称 | DSi200紫敏硅探测器 | DSi300蓝光增强型硅探测器 | |||||||
| 进口紫外增强型 | 进口蓝光增强型 | ||||||||
| 有效接收面积(mm2) | 100(Φ11.28) | 100(Φ11.28) | |||||||
| 波长使用范围(nm) | 200-1100 | 350-1100 | |||||||
| 峰值波长(nm),典型值 | 820nm | 970nm | |||||||
| 峰值波长响应度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) | |||||||
| 典型波长的响应度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm | |||||||
| 响应时间(μs) | 5.9 | 2 | |||||||
| 工作温度范围(℃) | -10~+60 | -10~+60 | |||||||
| 储存温度范围(℃) | -20~+70 | -20~+70 | |||||||
| 分流电阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) | |||||||
| 等效噪声功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 | |||||||
| *大操作电流(mA@0Vbias) | 0.1 | 10 | |||||||
| 结电容(pf@0Vbias) | 4500 | 8800 | |||||||
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 | |||||||
| 输出信号极性 | 正(P) | 正(P) |