技术指标\型号名称 | DSi200紫敏硅探测器 | DSi300蓝光增强型硅探测器 | |||||||
进口紫外增强型 | 进口蓝光增强型 | ||||||||
有效接收面积(mm2) | 100(Φ11.28) | 100(Φ11.28) | |||||||
波长使用范围(nm) | 200-1100 | 350-1100 | |||||||
峰值波长(nm),典型值 | 820nm | 970nm | |||||||
峰值波长响应度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) | |||||||
典型波长的响应度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm | |||||||
响应时间(μs) | 5.9 | 2 | |||||||
工作温度范围(℃) | -10~+60 | -10~+60 | |||||||
储存温度范围(℃) | -20~+70 | -20~+70 | |||||||
分流电阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) | |||||||
等效噪声功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 | |||||||
*大操作电流(mA@0Vbias) | 0.1 | 10 | |||||||
结电容(pf@0Vbias) | 4500 | 8800 | |||||||
信号输出模式 | 电流 | 电流 | |||||||
输出信号极性 | 正(P) | 正(P) |